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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NGTB35N65FL2WG
| Artikelnummer: | NGTB35N65FL2WG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $4.484 |
| 100+ | $3.6739 |
| 500+ | $3.1275 |
| 1000+ | $2.6377 |
| 2000+ | $2.5058 |
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onsemi NGTB35N65FL2WG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NGTB35N65FL2WG.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Testbedingung 400V, 35A, 10Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 72ns/132ns Schaltenergie 840µJ (on), 280µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 68 ns Leistung - max 300 W Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 125 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 70 A Grundproduktnummer NGTB35 NGTB35N65FL2WG Einzelheiten PDF [English] NGTB35N65FL2WG PDF - EN.pdf -
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